三星宣布大規模生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

【環(huán)球網(wǎng)科技綜合報道】據外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。

三星第五代V-NAND內存芯片是業(yè)內第一個(gè)利用Toggle DDR4.0接口的產(chǎn)品。該接口被稱(chēng)為數據傳輸的高速公路，在存儲之間的傳輸速度可達1.4 Gbps。與前一代產(chǎn)品相比，后者使存儲的傳輸速度提高了40%。此外，新的V-NAND數據寫(xiě)入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進(jìn)了30%，讀取信號時(shí)間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節能，電壓從1.8V降至1.2V。

為了實(shí)現上述所有的改進(jìn)，新一代V-NAND配備了90層的3D TLC閃存存儲單元。它們堆疊成金字塔狀結構，中間有微小孔。這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬，包含超過(guò)850億個(gè)閃存單元，每個(gè)單元存儲多達3比特數據，單Die容量達256Gb(32GB)。這種制造方法包括了許多先進(jìn)技術(shù)，比如電路設計、新工藝技術(shù)等。具體細節三星未詳述，但該公司稱(chēng)，V-NAND的改進(jìn)使其生產(chǎn)效率提高了30%以上。(實(shí)習編譯：鄭婷婷審稿：李宗澤)